Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente
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Herausgegeben vom Minister für Wissenschaft und Forschung
Prof. Dr. - Ing. Horst Gad Fachhochschule Lippe, Lemgo Labor für Elektronische Bauelemente und Netzwerke
Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente
Westdeutscher VerlaQ" 1979
CIP-Kurztitelaufnahme der Deutschen Bibliothek Gad, Horst: Ein Beitrag zum Einsatz .von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente / Horst Gad. - Opladen : Westdeutscher Verlag, 1979. (Forschungsberichte des Landes NordrheinWestfalen ; Nr. 2866 : Fachgruppe Elektrotechnik, Optik)
©
1979 by Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
Gesamtherstellung: Westdeutscher Verlag ISBN 978-3-531-02866-8 ISBN 978-3-322-88459-6 (eBook) DOI 10.1007/978-3-322-88459-6
ISBN 978-1-4615-6757-8 ISBN 978-1-4615-6755-4 (eBook) DOI 10.1007/978-1-4615-6755-4
III -
Inhalt
VI
Benutzte .l"ormelzeichen
1.
EinfÜhrung
2.
Parabeläste des Feldeffekttransistors
3
3.
L;erlegung der Parabeläste
5
4.
Kompensationsverfahren
10
4.1. Komoensation bei Eingangsgleichspannungen 4.2. Kompensation bei Eingangsmischspannungen 4.3. i3eriicksich tigung verschiedener FET-'l'ypen beim Kompensationsverfahren 4.4. symmetrische Schaltung mit .l"eldeffekttransistoren und Lastwiderstand
12 11
5.
22 23
Modelle zur Beschreibung der strom-spannungsKennlinien von Feldeffekttransistoren im Anlaufgebiet
25
5.1. FET-Typen und ~renzen des Anlaufgebietes 5.2. Kennlinienbeschreibungen 5.3. Bestimmung der parameter des 2-parameter-
31
Modells
6.
öpezielle
~chaltungen
25
38 fÜr den Einsatz des
!eldeffekttransistors als auadratisches Element
49
6.1. wuadrierschaltung mit zwei n-Kanal-sperrschicht-yeldeffekttransistoren und Kompensation des störterms bei beliebigem IJastwiderstand
49
- IV -
7.
6.2. Quadrierschaltung mit gemeinsamer GateQource-Vorspannung und beliebigem Lastwiderstand 6.3. Ouadrierschaltung mit unterschiedlicher Gate-0ource-Vorspannung und beliebigem Lastwiderstand
68
6.4. MOQFETs in Quadrierschaltungen mit Rückkopplung der halben Ausgangsspannung
75
Aussteuergrenzen beim Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente
79
55
7.1. Aussteuergrenzen bei Verwendung von ~perrschicht-Feldeffekttransistoren
79
7.2. Aussteuergrenzen bei der Verwendung von l'10SFETs 8.
9.
10.
Abhängigkeit der Ausgangsspannung des quadratischen Elements mit Feldeffekttransistoren von der Temperatur
95
Einfluß kapazitiver Last auf die ~usgangs spannung des quadratischen Elements mit Feldeffekttransistoren
99
Abweichungen der Ausgangsspannung quadratischer Elemente mit Feldeffekttransistoren vom idealen Verlauf
11.
91
102
10.1.
Quadrierfehler
102
10.2.
Verzerrungsgehalt
103
Nessungen am quadratischen Element mi t C~-OC;-IC; 11.1.
117
Abhängigkeit der Spektralanteile der Ausgangsgröße von der TIulk-SourceSpannung
118
- v 11.2.
Abhängigkeit der Spektralanteile der Ausgangsgröße bei konstanter BulkSource-Spannung
125
12.
Zusammenfassung
133
13.
Literatur
136
- VI -
Benutz:te Formelzeichen a C CL 6C/C dT f gc i
IA IR I D, i D 0 I DS 11
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