Growth of Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructures by Plasma Assisted MBE
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L4.5.1
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L4.5.2
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L4.5.3
TS = 640°C
RHEED Intensity (a.u.)
Transient
Al0.36Ga0.61In0.03N
AlGaN
0
10
20
30
40
50
60
Time (s)
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600
Al0.36Ga0.56In0.11N
RBS Yield (a.u.)
Al
400 Ga
200 In
0 800
1000
1200
1400
1600
1800
Energy (keV)
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L4.5.4
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