Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Sp
- PDF / 13,965,966 Bytes
- 442 Pages / 439.378 x 666.139 pts Page_size
- 81 Downloads / 176 Views
Jörg Schulze
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Mit 458 Abbildungen und 29 Tabellen
13
Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze Universität der Bundeswehr München Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Physik Werner-Heisenberg-Weg 39 85577 Neubiberg [email protected]
Bibliografische Information der Deutschen Bibliothek Die deutsche Bibliothek verzeichnet diese Publikation in der deutschen Nationalbibliografie; detaillierte bibliografische Daten sind im Internet über abrufbar.
ISBN 3-540-23437-3 Springer Berlin Heidelberg New York Dieses Werk ist urheberrechtlich geschützt. Die dadurch begründeten Rechte, insbesondere die der Übersetzung, des Nachdrucks, des Vortrags, der Entnahme von Abbildungen und Tabellen, der Funksendung, der Mikroverfilmung oder Verviefältigung auf anderen Wegen und der Speicherung in Datenverarbeitungsanlagen, bleiben, auch bei nur auszugsweiser Verwertung, vorbehalten. Eine Vervielfältigung dieses Werkes oder von Teilen dieses Werkes ist auch im Einzelfall nur in den Grenzen der gesetzlichen Bestimmungen des Urheberrechtsgesetzes der Bundesrepublik Deutschland vom 9. September 1965 in der jeweils geltenden Fassung zulässig. Sie ist grundsätzlich vergütungspflichtig. Zuwiderhandlungen unterliegen den Strafbestimmungen des Urheberrechtsgesetzes. Springer ist ein Unternehmen von Springer Science+Business Media springer.de © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2005 Printed in The Netherlands Die Wiedergabe von Gebrauchsnamen, Handelsnamen, Warenbezeichnungen usw. in diesem Buch berechtigt auch ohne besondere Kennzeichnung nicht zu der Annahme, dass solche Namen im Sinne der Warenzeichen- und Markenschutz-Gesetzgebung als frei zu betrachten wären und daher von jedermann benutzt werden dürften. Sollte in diesem Werk direkt oder indirekt auf Gesetze, Vorschriften oder Richtlinien (z.B. DIN, VDI, VDE) Bezug genommen oder aus ihnen zitiert worden sein, so kann der Verlag keine Gewähr für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Aktualität übernehmen. Es empfiehlt sich, gegebenenfalls für die eigenen Arbeiten die vollständigen Vorschriften oder Richtlinien in der jeweils gültigen Fassung hinzuzuziehen. Umschlaggestaltung: design & production, Heidelberg Satz: Digitale Druckvorlage des Autors Herstellung: medionet AG, Berlin Gedruckt auf säurefreiem Papier
7/3141 5 4 3 2 1 0
Anja, Gisela & Henry, Christine, Martin & Lena-Victoria in Liebe gewidmet
Vorwort
Die Silizium-basierte MOS-Technologie ist der mit Abstand größte und am schnellsten wachsende Bereich der gesamten Halbleitertechnologie, die gegenwärtig weltweit für mikro- und nanoelektronische Anwendungen zum Einsatz kommt. Das zentrale Bauelement dieser Technologie ist der über eine MOS-Kapazität gesteuerte Silizium-basierte Feldeffekttransistor. Die Gründe dafür sind im Hinblick auf den zum Einsatz kommenden Rohstoff – das Silizium – in seinen einzigartigen Eigenschaften zu suchen, die Silizium für die Halbleitertechnologie interessant machen: Silizium ist ein ungiftiger Elementhalbleiter, der auf der Erde
Data Loading...
